【制備或來(lái)源】可由鈦和氮在1200℃直接反應制得。涂層可由四氯化鈦、氮氣、氫氣混合氣體通過(guò)氣相沉積法形成。二氮化二鈦由金屬鈦在900～1000℃的氮或氨中加熱而得。四氮三鈦由四氯化鈦在1000℃的氨中加熱而得

GaN是極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。它在一個(gè)元胞中有4個(gè)原子，原子體積大約為GaAs的一半。因為其硬度高，又是一種良好的涂層保護材料。

AlN可穩定到2200℃。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好，熱膨脹系數小，是良好的耐熱沖擊材料?？谷廴诮饘偾治g的能力強，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護它在退火時(shí)免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼轉變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。室溫下與水緩慢反應.可由在氨或氮氣氛中800~1000℃合成，產(chǎn)物為白色到灰藍色粉末?；蛴葾l2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應合成，產(chǎn)物為灰白色粉末?；蚵然X與氨經(jīng)氣相反應制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過(guò)氣相沉積法合成

aN材料系列是一種理想的短波長(cháng)發(fā)光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質(zhì)結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質(zhì)結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問(wèn)世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，從而填補了市場(chǎng)上藍色LED多年的空白。以發(fā)光效率為標志的LED發(fā)展歷程見(jiàn)圖3。藍色發(fā)光器件在高密度光盤(pán)的信息存取、全光顯示、激光打印機等領(lǐng)域有著(zhù)巨大的應用市場(chǎng)。隨著(zhù)對Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開(kāi)發(fā)工作的不斷深入，GaInN超高度藍光、綠光LED技術(shù)已經(jīng)實(shí)現商品化，現在世界各大公司和研究機構都紛紛投入巨資加入到開(kāi)發(fā)藍光LED的競爭行列
http://www.anambasnow.com