氮化鈦（TiN）具有典型的NaCl型結構，屬面心立方點(diǎn)陣，晶格常數a=0.4241nm，其中鈦原子位于面心立方的角頂。TiN是非化學(xué)計量化合物，其穩定的組成范圍為T(mén)iN0.37-TiN1.16，氮的含量可以在一定的范圍內變化而不引起TiN結構的變化。TiN粉末一般呈黃褐色，超細TiN粉末呈黑色，而TiN晶體呈金。TiN熔點(diǎn)為2950℃，密度為5.43-5.44g/cm3，莫氏硬度8-9，抗熱沖擊性好。TiN熔點(diǎn)比大多數過(guò)渡金屬氮化物的熔點(diǎn)高，而密度卻比大多數金屬氮化物低，因此是一種很有特色的耐熱材料。TiN的晶體結構與TiC的晶體結構相似，只是將其中的C原子置換成N原子

GaN在1050℃開(kāi)始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射線(xiàn)衍射已經(jīng)指出GaN晶體屬纖維鋅礦晶格類(lèi)型的六方晶系。
在氮氣或氦氣中當溫度為1000℃時(shí)GaN會(huì )慢慢揮發(fā)，GaN在較高的溫度下是穩定的，在1130℃時(shí)它的蒸氣壓比從焓和熵計算得到的數值低，這是由于有多聚體分子(GaN)x的存在。
GaN不被冷水或熱水，稀的或濃的鹽酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的濃堿中也是穩定的，但在加熱的情況下能溶于堿中

TiN有著(zhù)誘人的金、熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)穩定性好、與金屬的潤濕小的結構材料、并具有較高的導電性和超導性，可應用于高溫結構材料和超導材料

GaN是極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。它在一個(gè)元胞中有4個(gè)原子，原子體積大約為GaAs的一半。因為其硬度高，又是一種良好的涂層保護材料。
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