aN材料系列是一種理想的短波長(cháng)發(fā)光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質(zhì)結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質(zhì)結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問(wèn)世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，從而填補了市場(chǎng)上藍色LED多年的空白。以發(fā)光效率為標志的LED發(fā)展歷程見(jiàn)圖3。藍色發(fā)光器件在高密度光盤(pán)的信息存取、全光顯示、激光打印機等領(lǐng)域有著(zhù)巨大的應用市場(chǎng)。隨著(zhù)對Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開(kāi)發(fā)工作的不斷深入，GaInN超高度藍光、綠光LED技術(shù)已經(jīng)實(shí)現商品化，現在世界各大公司和研究機構都紛紛投入巨資加入到開(kāi)發(fā)藍光LED的競爭行列

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線(xiàn)性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。

氮化鈦（TiN）是相當穩定的化合物，在高溫下不與鐵、鉻、鈣和鎂等金屬反應，TiN坩堝在CO與N2氣氛下也不與酸性渣和堿性渣起作用，因此TiN坩堝是研究鋼液與一些元素相互作用的優(yōu)良容器。TiN在真空中加熱失去氮，生成氮含量較低的氮化鈦

氮化鈦（TiN）具有典型的NaCl型結構，屬面心立方點(diǎn)陣，晶格常數a=0.4241nm，其中鈦原子位于面心立方的角頂。TiN是非化學(xué)計量化合物，其穩定的組成范圍為T(mén)iN0.37-TiN1.16，氮的含量可以在一定的范圍內變化而不引起TiN結構的變化。TiN粉末一般呈黃褐色，超細TiN粉末呈黑色，而TiN晶體呈金。TiN熔點(diǎn)為2950℃，密度為5.43-5.44g/cm3，莫氏硬度8-9，抗熱沖擊性好。TiN熔點(diǎn)比大多數過(guò)渡金屬氮化物的熔點(diǎn)高，而密度卻比大多數金屬氮化物低，因此是一種很有特色的耐熱材料。TiN的晶體結構與TiC的晶體結構相似，只是將其中的C原子置換成N原子
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