電學(xué)特性
GaN的電學(xué)特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型,的樣品的電子濃度約為4×1016/cm3。一般情況下所制備的P型樣品，都是高補償的。
很多研究小組都從事過(guò)這方面的研究工作，其中中村報道了GaN遷移率數據在室溫和液氮溫度別為μn=600cm2/v·s和μn= 1500cm2/v·s，相應的載流子濃度為n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。近年報道的MOCVD沉積GaN層的電子濃度數值為4 ×1016/cm3、<1016/cm3；等離子激活MBE的結果為8×103/cm3、<1017/cm3。
未摻雜載流子濃度可控制在1014～1020/cm3范圍。另外，通過(guò)P型摻雜工藝和Mg的低能電子束輻照或熱退火處理，已能將摻雜濃度控制在1011～1020/cm3范圍。

GaN在1050℃開(kāi)始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射線(xiàn)衍射已經(jīng)指出GaN晶體屬纖維鋅礦晶格類(lèi)型的六方晶系。
在氮氣或氦氣中當溫度為1000℃時(shí)GaN會(huì )慢慢揮發(fā)，GaN在較高的溫度下是穩定的，在1130℃時(shí)它的蒸氣壓比從焓和熵計算得到的數值低，這是由于有多聚體分子(GaN)x的存在。
GaN不被冷水或熱水，稀的或濃的鹽酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的濃堿中也是穩定的，但在加熱的情況下能溶于堿中

因為GaN是寬禁帶半導體，極性太大，則較難以通過(guò)高摻雜來(lái)獲得較好的金屬-半導體的歐姆接觸，這是GaN器件制造中的一個(gè)難題，故GaN器件性能的好壞往往與歐姆接觸的制作結果有關(guān)?，F在比較好的一種解決辦法就是采用異質(zhì)結，首先讓禁帶寬度逐漸過(guò)渡到較小一些，然后再采用高摻雜來(lái)實(shí)現歐姆接觸，但這種工藝較復雜?？傊?，歐姆接觸是GaN器件制造中需要很好解決的一個(gè)主要問(wèn)題。

氮化硅用做耐火材料，如與sic結合作SI3N4-SIC耐火材料用于高爐爐身等部位；如與BN結合作SI3N4-BN材料，用于水平連鑄分離環(huán)。SI3N4-BN系水平連鑄分離環(huán)是一種細結構陶瓷材料，結構均勻，具有高的機械強度。耐熱沖擊性好，又不會(huì )被鋼液濕潤，符合連鑄的工藝要求
http://www.anambasnow.com