氧化鎵的別名是三氧化二鎵，氧化鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性長(cháng)期以來(lái)一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線(xiàn)濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測器

二氧化鈦具有半導體的性能，它的電導率隨溫度的上升而迅速增加，而且對缺氧也非常敏感。例如，金紅石型二氧化鈦在20℃時(shí)還是電絕緣體，但加熱到420℃時(shí)，它的電導率增加了107倍。稍微減少氧含量，對它的電導率會(huì )有的影響，按化學(xué)組成的二氧化鈦（TiO2）電導率<10-10s/cm，而TiO1.9995的電導率則高達10-1s/cm。金紅石型二氧化鈦的介電常數和半導體性質(zhì)對電子工業(yè)非常重要，該工業(yè)領(lǐng)域利用上述特性，生產(chǎn)陶瓷電容器等電子元器件

硅原子和氧原子長(cháng)程有序排列形成晶態(tài)二氧化硅，短程有序或長(cháng)程無(wú)序排列形成非晶態(tài)二氧化硅。二氧化硅晶體中，硅原子位于正四面體的中心，四個(gè)氧原子位于正四面體的四個(gè)頂角上，許多個(gè)這樣的四面體又通過(guò)頂角的氧原子相連，每個(gè)氧原子為兩個(gè)四面體共有，即每個(gè)氧原子與兩個(gè)硅原子相結合。二氧化硅的簡(jiǎn)式是SiO2，但SiO2不代表一個(gè)簡(jiǎn)單分子(僅表示二氧化硅晶體中硅和氧的原子個(gè)數之比)。純凈的天然二氧化硅晶體，是一種堅硬、脆性、難溶的無(wú)色透明的固體，常用于制造光學(xué)儀器等

如果我們在生產(chǎn)過(guò)程中要減少氧化鋁消耗，那么就必須注意下面的技巧方法：
⒈控制好氧化鋁粒度不應過(guò)細，是砂狀氧化鋁，下料時(shí)陽(yáng)極上封料要減少飛揚，加工時(shí)應關(guān)好窗戶(hù)；
⒉換陽(yáng)極時(shí)舊極上的料要扒凈，殘極上的氧化鋁要清理干凈；
⒊控制好沉淀，防止沉淀過(guò)多和沉淀變硬；
⒋生產(chǎn)過(guò)程中如果用到夾子，選用耐強酸堿的PP全塑料夾子，避免夾子腐蝕氧化造成污染。
產(chǎn)品參數
方程式：Al?O?
熔點(diǎn)：2050℃
99.995%高純氧化鋁系列主要用于LED人造藍寶石晶體，陶瓷，PDP熒光粉及一些高性能材料。作為藍寶石晶體原料，根據不同的要求可提供粉體，顆粒，塊狀或者柱狀等類(lèi)型。
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