新型電子器件
GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著(zhù) MBE技術(shù)在GaN材料應用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(cháng)技術(shù)的突破，成功地生長(cháng)出了GaN多種異質(zhì)結構。用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應晶體管（MESFET）、異質(zhì)結場(chǎng)效應晶體管(HFET)、調制摻雜場(chǎng)效應晶體管（MODFET）等新型器件。調制摻雜的AlGaN/GaN結構具有高的電子遷移率(2000cm2/v·s)、高的飽和速度(1×107cm/s)、較低的介電常數，是制作微波器件的優(yōu)先材料；GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV) 及藍寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利于器件在大功率條件下工作。

氮化鈦（TiN）是相當穩定的化合物，在高溫下不與鐵、鉻、鈣和鎂等金屬反應，TiN坩堝在CO與N2氣氛下也不與酸性渣和堿性渣起作用，因此TiN坩堝是研究鋼液與一些元素相互作用的優(yōu)良容器。TiN在真空中加熱失去氮，生成氮含量較低的氮化鈦

AlN可穩定到2200℃。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好，熱膨脹系數小，是良好的耐熱沖擊材料?？谷廴诮饘偾治g的能力強，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，用作電器元件也很有希望?；壉砻娴牡X涂層，能保護它在退火時(shí)免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼轉變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。室溫下與水緩慢反應.可由在氨或氮氣氛中800~1000℃合成，產(chǎn)物為白色到灰藍色粉末?；蛴葾l2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應合成，產(chǎn)物為灰白色粉末?；蚵然X與氨經(jīng)氣相反應制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過(guò)氣相沉積法合成

在探測器方面，已研制出GaN紫外探測器，波長(cháng)為369nm，其響應速度與Si探測器不相上下。但這方面的研究還處于起步階段。GaN探測器將在火焰探測、預警等方面有重要應用。
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