產(chǎn)地廣東
品牌鼎偉新材料
貨號陶瓷靶材
品名氮化物靶材
純度99.9%
GaN在1050℃開(kāi)始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射線(xiàn)衍射已經(jīng)指出GaN晶體屬纖維鋅礦晶格類(lèi)型的六方晶系。
在氮氣或氦氣中當溫度為1000℃時(shí)GaN會(huì )慢慢揮發(fā)，GaN在較高的溫度下是穩定的，在1130℃時(shí)它的蒸氣壓比從焓和熵計算得到的數值低，這是由于有多聚體分子(GaN)x的存在。
GaN不被冷水或熱水，稀的或濃的鹽酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的濃堿中也是穩定的，但在加熱的情況下能溶于堿中
在探測器方面，已研制出GaN紫外探測器，波長(cháng)為369nm，其響應速度與Si探測器不相上下。但這方面的研究還處于起步階段。GaN探測器將在火焰探測、預警等方面有重要應用。
【制備或來(lái)源】可由鈦和氮在1200℃直接反應制得。涂層可由四氯化鈦、氮氣、氫氣混合氣體通過(guò)氣相沉積法形成。二氮化二鈦由金屬鈦在900～1000℃的氮或氨中加熱而得。四氮三鈦由四氯化鈦在1000℃的氨中加熱而得
氮化硅用做耐火材料，如與sic結合作SI3N4-SIC耐火材料用于高爐爐身等部位；如與BN結合作SI3N4-BN材料，用于水平連鑄分離環(huán)。SI3N4-BN系水平連鑄分離環(huán)是一種細結構陶瓷材料，結構均勻，具有高的機械強度。耐熱沖擊性好，又不會(huì )被鋼液濕潤，符合連鑄的工藝要求
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